|
|
|
Теория развития творческой личности (ТРТЛ) явилась закономерным этапом развития Теории решения изобретательских задач (ТРИЗ), автор которой, Г.С.Альтшуллер, занимается ее разработкой с 1946 г. К 80-м годам стало очевидно, что создана технология, позволяющая научить практически любого человека решению разнообразных технических проблем — научить методике технического творчества. Однако стало очевидным и то, что немногие из освоивших эту методику занимались в дальнейшем творчеством. Анализ значительного числа биографий творческих людей позволил Г.Альтшуллеру совместно с И.Верткиным выявить, что для полноценного творчества кроме умения решать задачи человек должен иметь еще ряд качеств — уметь выбрать Достойную цель, спланировать свою работу, уметь "держать удар" и т.д. Дальнейшее уточнение этих качеств творческой личности, выяснение вопроса о наилучших тактике и стратегии действий творца вылилось в ТРТЛ.
Теория эта не является до конца разработанной. Дальнейшему ее развитию коллективными усилиями и посвящена заочная конференция "Проблемы ТРТЛ". Форма заочной конференции выбрана из-за того, что в современных условиях разработчикам очень сложно встретиться реально.
Данный сборник является итогом первого года работы. За это время в конференции приняло участие около тридцати человек. Были присланы работы по различным проблемам, и идет их обсуждение. Однако надо отметить, что более-менее активное обсуждение проблем, обмен мнениями наладился лишь к концу года, и в результате этих дискуссий не выработались единые аргументированные подходы, которые могли бы дальше практически использоваться. Поэтому в сборник отобраны лишь отдельные работы, которые, тем не менее, дают представление о затрагиваемых проблемах.
Заочная конференция "Проблемы ТРТЛ" продолжает свою работу. Каждый человек, занимающийся проблемами творчества и разделяющий методологический подход ТРИЗ и ТРТЛ, может стать ее участником. Для этого можно прислать либо свою работу по этой проблематике, либо предоставить аргументированные суждения по уже опубликованным материалам.
|